近日，ROHM集团旗下的LAPISSemiconductor公司(蓝碧石半导体)开发出128MbitNORFlash存储器“MR29V12852B”，该产品非常适用于对品质有高要求的车载设备和工业设备的数据存储介质。
Flash存储器根据存储数据的存储单元的排列形式不同而分为NAND型和NOR型两种。NAND型的特征是每比特的价格相对便宜，多用作手机、数码相机、数码音响等保存数字数据的存储介质;NOR型的特征是存储数据的可靠性高，多用作品质要求高的车载设备、工业设备等保存固件的存储介质。
包括Flash存储器在内的非易失性存储器，毋庸置疑会有偶发数据错误的可能性。尤其在品质要求高的车载设备和工业设备中，为了系统的稳定工作，必须采取有效预防这种数据错误引发的程序误运行或误停止的措施。
本LSI作为128MbNORFlash存储器，业界首次内置纠错码电路和输出驱动能力调整电路，通过替换现有存储器，可轻松且以低成本实现系统上的数据错误对策。该产品非常适用于品质要求高的车载设备和工业设备，有助于系统的稳定工作和降低成本。
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