存储器是信息系统的基础核心芯片，最能代表集成电路产业规模经济效益和先进制造工艺，同时也是我国进口金额最大的集成电路产品。为推动国内存储力量的崛起，我国存储器基地项目相继落地。
近几年，随着PC、数据中心服务器、平板、智能手机和其他设备的兴起，中国对DRAM和Flash的渴求达到了一个前所未有的高度。但坦白说，仅凭中国目前的技术储备，暂时无法撑起中国的存储野心。
加之后续物联网和人工智能应用的大量兴起，存储需求将会持续攀升，对于中国来说，如何迅速获得核心技术，就成为中国存储产业关注的首要问题。另外，如何笼络一批经验足够丰富的存储相关工程师，以撑起其发展的野心也十分关键。
为推进国内存储产业的发展，夯实基础，我国开展了一系列项目建设。日前，总投资240亿美元的国家存储器基地项目在武汉东湖高新区正式开工。2020年全面建成后，年产值将超过100亿美元，实现我国集成电路存储芯片产业规模化发展“零”的突破。
此次开工的国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城，将建设3座全球单座洁净面积最大的3DNANDFLASDHFAB厂房、一座总部研发大楼和其他若干配套建筑，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。项目一期计划2018年建成投产，2020年完成整个项目，总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。
据介绍，国家存储器基地项目由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设。以芯片制造环节为突破口，集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体，建成后，还将带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展。
无独有偶，近日中电海康存储芯片研发及中试基地项目开工，这也是青山湖科技城新年开工的第一个重大项目。该项目投资13亿元，占地50亩，计划今年9月投用;中试运营成功稳定后，后期产业化投资将达到百亿元级规模。
“这个项目如果成功，对全国来说都具有重大意义，将弥补国内在高端存储芯片领域的空白。”青山湖科技城管委会商务局副局长朱新虎如是说道。
据介绍，磁旋存储器是一种新型高端存储器，其特点为纳秒级读写速度、极高重写次数、掉电数据不丢失、极好的抗辐射和抗恶劣环境能力、能耗低等。直白点说，这是一个新的技术制高点。为此，中电海康成立了海康驰拓科技有限公司，全力推动以磁旋存储器为代表的高端存储芯片开发与产业化，这也是此次建设项目的意义所在。
据悉，海康驰拓的研发团队，由多位在信息存储芯片设计与制造领域有着丰富经验的“国千”和“省千”专家领军，成员均来自国际著名的半导体设计及生产厂商、知名存储业务公司或是全球规模最大的非私营信息存储技术研究机构，掌握着高端信息存储器件产业的相关核心技术。
刘波博士告诉记者，吸引和凝聚自旋电子技术、微电子技术和芯片设计技术的高端人才是项目成功的关键所在。该项目落地杭州，就是看重杭州的文化和创新创业环境对高端人才的吸引力，“高端人才对我们来说是最重要的。”
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